台积电有望在 2023 年中期进入 2nm 工艺的试生产阶段，并于一年后开始批量生产 。
目前，台积电最新的制造工艺是其第一代5纳米工艺，将用于为iPhone 12等设备(http://www.maoyihang.com/sell/l_4/)制造处理器。
台积电的2纳米工艺将采用差分晶体管设计。这种设计被称为多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)，是对以前鳍式场效应晶体管设计的补充。
台积电第一次决定为其晶体管设计MBCFET，而不是将其交给晶圆代工厂。三星于去年4月宣布了其3nm制造工艺的设计，其MBCFET设计是对2017年与IBM共同开发并推出的GAAFET晶体管的改进。
与GAAFET相比，三星的MBCFET使用纳米线。这增加了可用于导电的表面积，更重要的是，它允许设计者在不增加横向表面积的情况下向晶体管添加更多栅极。
台积电预测，其2纳米工艺芯片的产量将在2023年达到惊人的90%。如果是这样，工厂将能够改进其制造工艺，并在2024年轻松实现大规模生产。
三星表示，在发布MBCFET时，预计3nm晶体管的功耗比7nm设计分别降低30%和45%，性能提升30%。
