关于* LPDDR4
* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR” 为电子(http://www.maoyihang.com/sell/l_23/)工程设计发展联合协会规定的DRAM规格标准名称，DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。
自从10纳米级DRAM产品开始，半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。
公司(http://www.maoyihang.com/company/)预计从下半年开始向智能手机(http://www.maoyihang.com/sell/l_25/)厂商供应(http://www.maoyihang.com/sell/)适用1a纳米级技术的移动端DRAM。
公司(http://www.maoyihang.com/company/)预计从下半年开始向智能手机(http://www.maoyihang.com/sell/l_25/)厂商供应(http://www.maoyihang.com/sell/)适用1a纳米级技术的移动端DRAM。
该量产产品是SK海力士采用EUV技术生产的首款DRAM，意义重大。SK海力士在之前生产的1y纳米级产品中采用了EUV技术，并提前验证了其稳定性。
工艺极度精细化的趋势导致半导体厂商纷纷引进EUV设备(http://www.maoyihang.com/sell/l_4/)，并将其投入到晶圆上绘制电路的光刻工艺中。业内人士认为，EUV技术水平将成为决定未来技术领先地位的重要因素。SK海力士通过此次量产保证了EUV技术的稳定性，并表示未来1a纳米级DRAM的生产将采用EUV技术。
SK海力士期望通过提高新产品的生产效率来确保更高的成本竞争力。与上一代1z纳米级工艺中相同规格的产品相比，每片晶圆中1a纳米级DRAM可以生产的产品数量增加了25%左右。在今年全球DRAM需求持续增长的背景下，公司预计1a纳米DRAM将在全球存储半导体供需中发挥重要作用。
* LPDDR4 稳定支持LPDDR4移动DRAM规格的最高速度(4266Mbps)，其功耗也比上一代产品20%降低了20%左右。SK海力士认为，* LPDDR4 进一步强化了低功耗优势，有助于减少碳排放，充分体现了SK海力士注重ESG(环境、社会和公司治理)管理的精神理念。
继这款LPDDR4产品之后，SK海力士还计划从明年年初开始，在去年10月推出的全球首款DDR5 DRAM中引入1a纳米级技术。
