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东芝研发出全球首款4.5-kV双栅极反向传导注入增强型栅极晶体管

放大字体  缩小字体发布日期:2022-06-20 10:38  浏览次数:49
摘 要:消息称,东芝电子元件及存储装置株式会社和东芝株式会社共同研发出全球首款4.5-kV双栅极反向传导注入增强型栅极晶体管(RC-IEGT
  消息称,东芝电子(http://www.maoyihang.com/sell/l_23/)元件及存储装置株式会社和东芝株式会社共同研发出全球首款4.5-kV双栅极反向传导注入增强型栅极晶体管(RC-IEGT)。

    东芝证实,开关过程中的总功耗(开关损耗)比传统单电网结构低24%
 
   电源设备(http://www.maoyihang.com/sell/l_4/)是用于供电和管理的组件,对于降低各种电子设备的功耗和实现碳中和的社会至关重要。在全球脱碳节能的趋势下,IEGT被广泛应用于大功率逆变器、高压直流输电等需要大电流、高能效、低功耗的应用领域。很难降低IEGT的功耗,因为当IEGT开启时,损耗(传导损耗)降低,开关损耗增加
 
  东芝开发了4.5kv双电网rc IEGT,其中孔控制电网(CG)与主电网(mg)分离。与单栅器件中的反向恢复相比,该方法通过在关闭和注入之前控制孔提取来减少损失。在IEGT模式下,电流从基板背面流向正面。CG关闭后,Mg关闭,以减少基板中累积的孔洞和关闭损耗。

  在二极管模式下,电流从基板的前部流向后部,Mg和CG在反向恢复之前同时进行,这减少了基板中的累积电子和反向恢复损耗。
 
  新开发的双栅极rc iegt结合了栅极控制技术,与传统的单栅极结构相比,关断和导通损耗分别降低了24%和18%,反向恢复损耗降低了32%。因此,实际测量值中的总开关损耗减少了24%,而导通损耗没有增加。
 
 
 
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