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SK海力士宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组

放大字体  缩小字体发布日期:2022-12-08 09:55  浏览次数:52
摘 要:SK海力士宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*
  SK海力士宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*样品,这是目前业界最快的服务(http://www.maoyihang.com/sell/l_11/)器DRAM产品(http://www.maoyihang.com/invest/)。该产品的最低数据传输速率也高达8Gbps,较之目前DDR5产品4.8Gbps提高了80%以上。
 
  DDR (Double Data Rate)是一种DRAM标准,主要应用于服务器和客户端,目前已发展到第五代。MCR DIMM是一种模块化产品,它将多个dram组合在一块主板上,并能够同时运行两个内存列。
 
  RANK:从DRAM模块传输到CPU的基本数据单位。内存列通常向CPU传输64字节的数据。MCR DIMM采用了一种全新的方法来提高DDR5的传输速度。
 
  虽然人们普遍认为DDR5的速度取决于单个DRAM芯片的速度,但SK海力士的工程师们在开发产品时采取了不同的方法,提高了模块的速度,而不是单个DRAM芯片的速度。
 
  基于英特尔的MCR技术,SK海力士的技术团队设计了该产品,使用安装在MCR DIMM中的数据缓冲区*,可以同时运行两个内存列。
 
  Buffer:安装在内存模块上的一种器件,用于优化DRAM和CPU之间的信号传输性能。主要安装在对性能和可靠性要求较高的服务器模块上
 
  传统的DRAM模块一次只能向CPU传输64字节的数据,而在MCR DIMM模块中,同时运行的两个内存列可以向CPU传输128字节的数据。
 
  一次传输到CPU的数据量的增加使数据传输速度提高到8Gbps以上,是单个DRAM的两倍。该产品的成功开发得益于与英特尔和瑞萨电子(http://www.maoyihang.com/sell/l_23/)的合作。

  这三家公司(http://www.maoyihang.com/company/)在从开发到速度和性能验证的各个阶段都密切合作。数据缓冲区负责传输来自中间模块的多个信号,服务器CPU负责接收和处理来自缓冲区的信号。
 
  英特尔内存和IO技术副总裁DimIT(http://www.maoyihang.com/sell/l_25/)rios Ziakas博士表示,英特尔和SK海力士在内存创新、高性能、可扩展的服务器DDR5方面处于领先地位,其他一些主要的行业合作伙伴也处于同一梯级。
 
 
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