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三星电子采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产

放大字体  缩小字体发布日期:2023-05-18 10:39  浏览次数:35
摘 要:三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺,再次奠定了其在尖端DRAM技术方
  三星电子(http://www.maoyihang.com/sell/l_23/)宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺,再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。
 
  与上一代相比,三星最新的12 纳米级DDR5 DRAM 功耗降低了23%,晶圆性能提高了20%。其出色的能效等级使其成为全球IT(http://www.maoyihang.com/sell/l_25/)企业(http://www.maoyihang.com/company/)服务(http://www.maoyihang.com/sell/l_11/)器和数据中心节能减排的绝佳解决方案。
 
  三星的12nm 级工艺开发基于有助于提高电池容量的新型高 材料。高电容会在数据信号中产生显着的电位差,从而更容易准确地区分。同时,三星在降低工作电压和噪声方面的进步也让该方案更适合客户企业的需求。
 
  三星的12 纳米级DDR5 DRAM 可支持高达每秒7.2 吉比特(Gbps) 的速度,这相当于每秒处理大约两部30 GB 的超高清电影。为了满足客户需求,三星将继续扩展其12 纳米级DRAM 产品(http://www.maoyihang.com/invest/)线,以支持越来越多的应用,并提供包括数据中心和人工智能在内的下一代计算能力。
 
  三星去年12 月完成了与AMD 的16Gb DDR5 DRAM 兼容性评估,并将继续与全球IT 企业合作,在下一代DRAM 市场进行创新。
 
 
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