超高压电力半导体工艺技术的应用范围涵盖了家电(http://www.maoyihang.com/sell/l_16/)、汽车(http://www.maoyihang.com/sell/l_15/)、通信、工业等多个领域，它支持设计和制造用于驱动电机的Gate Driver IC。 Gate Driver IC市场占整个电力半导体IC市场的8%，预计从2022年至2027年，其年平均增长率将高达109%，需求有望大幅增加。
DB HITEK公司(http://www.maoyihang.com/company/)采用了以具有竞争优势的电力半导体技术为基础，拓展超高压电力半导体业务，从而提升自身竞争力的策略。
通过这次工艺技术升级，DB HITEK将能够在Gate Driver IC中同时使用Level-Shifter绝缘方式和Galvanic绝缘方式。由此，客户可以充分发挥芯片便于设计的Level-Shifter和高压操作稳定性较高的Galvanic绝缘各自的优点，并且该工艺的应用范围也有望从现有的家电领域扩展到汽车、太阳能等领域。
今年5月，DB HITEK首次推出了一款适用于系统空调等大功率压缩机的900V级Level-Shifter，它采用宽电压设计，便于进行芯片设计。此外，他们还实现了将原本安装在芯片外部的Bootstrap Diode内置，并自主研发了缩小体积的技术，同时申请了专利，创造了不同于其他代工厂的Gate Driver IC设计环境。
DB HITEK表示，未来他们将确保在矽电半导体中实现全区间工艺技术， 并提供适用于各个领域的最佳Gate Driver设计环境。
具体来说，DB HITEK计划于2024年1月在Gate Driver IC市场中占最大比重10%的家电领域提供最佳的600V工艺，并在年内依次确保用于电动滑板车及电动踏板车的200V工艺和用于纺织(http://www.maoyihang.com/sell/l_29/)机及工规用的1200V工艺，以提升超高压电力半导体的竞争力。
