混合键合技术作为一种新型的内存键合方式，相较于传统工艺展现出了诸多优势。它摒弃了DRAM内存层间添加凸块的复杂过程，采用铜对铜的直接连接方式，实现了层间的高效连接，从而极大地提高了工作效率。
这一创新不仅显著提升了信号传输速率，满足了AI计算对高带宽的迫切需求，而且有效降低了DRAM层间距，使HBM模块的整体高度大幅缩减，进一步提升了其集成度和便携性。
尽管混合键合技术的成熟度和应用成本一直是业界关注的焦点，但三星电子积极应对这些挑战，通过多元化策略推进该技术的研究与应用。公司不仅致力于混合键合技术的研究，还同步开发传统的TC-NCF工艺，以实现技术多样化，降低潜在风险，并提升整体竞争力。
据悉，三星设定的目标是将HBM4中的晶圆间隙缩减至7.0微米以内，这将进一步提升HBM4的性能和可靠性，为未来的计算应用提供强大的内存支持。
业内专家对此表示，三星在16层混合键合堆叠工艺技术方面的突破，将有力推动HBM内存技术的发展，为未来的计算应用提供更加强大的动力。这一技术突破无疑将引领内存技术的新篇章，为计算领域带来更加广阔的可能性。
